主要用途

该设备用于GaN系第3代半导体材料的外延生长和蓝

技术特点：

可迅速改变反应室气体成分，生长界面陡峭的超薄层多层结构

改变源材料组分，可生长不同组分和导电类型的外延材料

精确控制源温和蒸气压以及载气流量，调节生长速率

既可常压生长，也可低压生长以减小自掺杂

工艺过程全自动控制，工艺参数和流程图形化显示

外延膜层厚度和膜质在线监测

系统气密性高、故障报警和安全连锁齐全可靠，确保使用安全

源材料和反应产物中不含HCl，减少对设备的腐蚀

技术指标：

生产能力：2″基片，6片/批

基片温度：300～1200℃±1℃，控温精度±1℃

升温速度：≥ 3 ℃/s

载片台旋转速度：10～200rpm

反应室压力自控范围：0.01~ 0.1 MPa

系统气密性：反应器漏气率：≤1×10-7 PaL/s.

管路系统漏气率：≤1×10-8 PaL/s.

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