主要用途
CMP设备是半导体制造工艺中后道工序的关键设备之一,其结构复杂,控制
优化逻辑算法,实现系统的高速度、低功耗、低电压、高可靠性。改进控制
主要性能:
晶片直径: 6″~8″~21%
生产能力: 20~30片/h
旋转速度:20~200 r/min
研磨压力:6~60 kPa
浆料流量:10~300 ml/min
膜厚均匀性:优于5%
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