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 主要用途 |
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射频（RF）感应耦合等离子体（ICP）刻蚀设备和射频 |
| (RF)感应耦合等离子体（ICP）去胶设备，适合于LSI、LCD、 |
| 太阳能电池制作工艺中，氧化硅、氮化硅、掺杂硅等薄膜的 |
| 干法刻蚀和光刻胶的去胶工艺。 |
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技术特点： |
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射频感应耦合等离子体,具有气压低、口径大、密度高、化学活性强等显著工艺特点。
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可实现线条微细化、基片大面积化、刻蚀高速化以及生产批量化。如图一所示：采用 |
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塔式发生器的设备，刻蚀去胶面积φ250mm，采用立式发生器的设备，5″太阳有电池 |
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方片刻蚀周边每批250片;采用卧式发生器的设备,刻蚀去胶4″圆片每批40片。刻蚀去 |
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胶时间5-8分钟，批处理时间不大于30分钟。 |
性能特征： |
·采用ICP技术，等离子体密度高。 |
·压力自动控制技术，工艺稳定性好。 |
·工艺过程自动控制，工艺重复性好。 |
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主要技术指标： |
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控制方式： |
智能全自动控制 |
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单班产量： |
960片 |
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工作压力： |
30~300Pa |
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压力控制： |
闭环自动控制 |
| 射频电源： |
13.56MHz、1000W |
| 抽气系统： |
15L/S机械泵 |
| 型号系列： |
M84101-1/UM（φ50mm及以下基片） |
| M84101-2/UM（φ100mm及以下基片） |
| 电源： |
3N 15KVA |
| 装片容量： |
40片/批 |
| 生产周期： |
<30min |
| 去胶速率： |
500A°/min |
| 匹配系统： |
手动匹配 |
| 极限真空： |
<12Pa |
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