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 主要用途 |
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等离子体刻蚀是采用高频辉光放电，将反应气体分子激 |
| 活成活性粒子，如原子、离子或游离基，这些活性粒子扩散到 |
| 需要刻蚀部位后与被刻蚀材料进行反应，生成挥发性反应物， |
| 然后由真空系统抽走。该设备主要用于太阳能电池基片周边掺 |
| 杂硅的刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀、等离子清洗及去胶工艺。 |
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技术特点 |
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 采用立式感应耦合等离子体(ICP)技术,工艺过程全自动控制,压力闭环全自动控制; |
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工艺重复性好，刻蚀速度快、均匀性好，批处理时间短、产量大； |
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所有电气元件均采用插拔式，便于维修和更换； |
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适用于大批量生产。 |
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主要技术指标 |
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刻蚀介质 |
掺杂硅、氮化硅 |
| 刻蚀部位 |
6″方片周边（6″为方片边长） |
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生产量 |
300片/批（只在使用6″方片时达到此批量） |
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射频电源 |
100～1000W可调，13.56MHz（50Ω标准负载下） |
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送气系统 |
二路质量流量计 CF4：300ml/min |
| O2：30ml/min |
| 一路浮子流量计 N2：1000ml/min |
| 抽气系统 |
国产机械泵 |
| 工作压力自动控制 |
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| 载片架旋转 |
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刻蚀速率 |
掺杂硅 500 Aο/min |
| 氮化硅 2000 Aο/min |
| 周边刻蚀不均匀性 |
±5% |
| 整机功率 |
≤5KW |
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电源 |
3N 15KVA |
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