|
 主要用途 |
|
离子束溅射镀膜是半导体工艺中薄膜制备的重要方式之一，主要用于制备金属、半
|
 |
| 导体、绝缘体的单质、合金和化合物薄膜。离子束溅射镀膜设备是根据溅射原理，利用 |
| 低能量聚焦离子束对靶材表面进行轰击，溅射的靶材淀积到衬底表面并牢固地附着在衬 |
| 底表面的溅射镀膜（淀积）设备。离子束刻蚀是半导体刻蚀工艺中的一种，主要用于集 |
| 成电路、元器件、传感器等领域的微细图形制备。它主要是物理刻蚀，根据溅射原理， |
| 利用低能量聚焦离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖的部分材料被溅射出，从而达到刻蚀的目的。 |
|
技术特点： |
|
 离子束能量、束流和中和电流等工艺参数能彼此独立调整和控制，保证工艺参数的一致性、工艺重复性
。 |
|
在离子束镀膜设备中，能连续淀积四种不同材料的多层薄膜而不需破坏加工室真空
。 |
|
在镀膜之前，可以分别对衬底、靶材进行离子束轰击原位剥离清洗，以获得原子级清洁表面。 |
|
能在局部氧压或氧离子束轰击下进行反应溅射，以制备氧化物薄膜
。 |
|
在薄膜淀积过程中，采用离子束轰击正在淀积的薄膜，可以改变薄膜的机械和电特性
。 |
|
在离子束刻蚀设备中，栅网的独特制作保证
了束流的均匀性。 |
|
主要技术指标： |
|
|
离子束能量 |
0~1600eV可调 |
|
|
极限真空度 |
≤8X10-4Pa |
|
|
镀膜均匀性 |
±5% |
|
|
刻蚀均匀性 |
±10% |
|
|
M781-5/UM基片尺寸 |
φ100mm |
| M781-6/UM基片尺寸 |
φ150mm |
| M431-1/UM基片尺寸 |
φ200mm |
| |
|
|
联系我们 |
|
 |
