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 主要用途 |
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反应离子刻蚀是集成电路制造的重要工序之一。主要用 |
| 于多晶硅、氧化硅、二氧化硅薄膜的刻蚀,属干法腐蚀.M46000 |
| 系列反应离子刻蚀机是利用高频辉光放电产生的活性粒子与被 |
| 腐蚀材料发生化学反应，形成挥发性产物使样品表面原子从晶 |
| 格中脱落，从而实现样品表面微细图形的制备的设备。它主要用于光电器件、红外器件、生 |
| 物传感器等领域的微细图形制备。特别适用于SiO2、Si3-N4、光致抗蚀剂等材料的腐蚀。 |
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技术特点： |
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 采用大面积淋浴式送气方式使气体放电均匀 |
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敞开式钟罩开启方式，方便装片 |
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气路系统采用全金属密封，抗腐蚀性强，污染小 |
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工作压力闭环自动控制，工艺稳定性、重复性好 |
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手动/自动控制系统，方便操作、维修 |
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全图形汉化控制软件,windows98操作系统,直观显示工艺参数和流程.故障报警、显示 |
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主要技术指标： |
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结构形式 |
立式单室 |
| 刻蚀材料 |
Si-3N4、Poly-SiO2、PR |
| 基片尺寸 |
φ150mm |
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RF电源 |
手动匹配 |
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功率 |
500W |
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频率 |
13.56MHz |
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极限真空度 |
≤8X10-3Pa |
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工作压力 |
10∽100Pa |
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真空系统 |
分子泵+机械泵 |
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漏气率 |
≤5×10-2Pa.L/s |
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刻蚀均匀性 |
±5%(φ125mm以内) |
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成膜压力自动控制 |
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承片台温度显示 |
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| 供气系统质量流量控制 |
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