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 主要用途 |
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化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition） |
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| 是半导体集成电路制造的重要工序之一，主要用于多 |
| 晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长。它是将原材料气 |
| 体（或者液态源气化）帽热能激活发生化学应用而在 |
| 基片表面生成固体薄膜。 |
低压化学气相淀积是在低压下进行的，由于气压 |
| 低，气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,而且基片可以竖放而装片量大，特别适 |
| 用于工业化生产。 |
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技术特点： |
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 温度控制采用串级控制方式，对基片实际温度进行实时智能控制。 |
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装载采用SiC悬臂桨，避免了与工艺管磨擦产生粉尘。 |
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气路系统、工艺管、真空系统密封可靠，使用安全。 |
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反应气体分子送气和族射送气，避免气相反应产生粉尘和改善均匀性。 |
工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和重复性。 |
氧化硅薄膜淀积采用液态源改善台阶覆盖性、表面平坦性和填充特性。 |
全图形汉化控制软件，直观显示工艺参数和流程，故障报警和提示。 |
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主要技术指标： |
| 型号 |
M80100-1/UM |
M80150-1/UM |
M80200-1/UM |
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| 基片尺寸 |
φ100mm |
φ150mm或☐100mm |
φ200mm或150mm |
工作温度30 |
500～900℃ |
工序管路 |
1~3管 |
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恒温区长度 |
600mm，800mm |
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控温精度 |
±1℃ |
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极限真空度 |
<1Pa |
膜厚均匀性* |
Si3N4 ±3% Poly-Si ±4% TEOS-SiO2 ±5% |
折射率 |
Si3N4 1.95±0.05 TEOS-SiO2 1.46±0.05 |
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泄漏率 |
工艺管抽真空，关阀后压升率<3Pa/min，气路充氮0.2MPa,12h后压 |
| 降率<0.1%/h |
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