|
 主要用途 |
|
PECVD是利用高频电源辉光放电产生等离子体对 |
 |
| 化学气相沉积过程施加影响的技术。电子和离子的密 |
| 度达109～1012个/cm3,平均电子能量可达1～10ev。 |
| 由于等离子体存在,促进气体分子的分解、化合、激发 |
| 和电离,促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。 |
| PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在 |
| 700℃～950℃范围内成膜。由于在氨气条件下，提高了活性基因的扩散能力，从而提高薄膜 |
| 的生长速度和均匀性.在沉积过程中,由于大量的氢存在，起到表面钝化作用。目前在太阳电 |
| 池行业主要用PECVD设备来淀积氮化硅减反射钝化膜。 |
氮化硅膜不仅仅有优良的光学性能如折射率接近太阳电池所需的最佳折射率,且有良好 |
| 的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力。 |
|
主要功能和特点： |
|
 采用卧式热壁型模式，等离子密度高，热均匀性好，产量大； |
|
沉积温度低，小于500℃，膜层致密，热应力小； |
|
载片舟采用软着陆技术，污染小、沉膜质量好，有效提高电池片的转换效率； |
|
采用平行平板电极，适合大面积片沉积，可满足目前国内最大规格太阳能电池片 |
基板沉膜； |
|
采用自动匹配射频电源，频率跟踪好，自动化程度高； |
|
进口触摸式工业液晶屏＋进口PLC的智能集散控制模式，实现监控、工艺参数编辑、 |
工况图显示、实时曲线显示、历史数据管理等人机交互功能。工艺过程自动控制； |
整机模块化、标准化设计，关键件采用进口件，质量稳定可靠，安装快捷,维修 |
方便。 |
|
主要技术指标： |
|
|
成膜种类 |
氮化硅 |
| 装片尺寸 |
156×156mm2方片，125×125mm2方片 |
|
|
装片量 |
156×156mm2方片， 144片/批 |
| 125×125mm2方片，168片/批 |
|
|
成膜均匀性 |
片内≤±5% |
| 片间≤±6% |
| 批间≤±7%（膜厚1μm内） |
| 折射率：1.98-2.1 |
| 膜厚：800A |
|
|
使用温度 |
150—500℃ |
| 恒温区长度及精度 |
±2℃/1200mm（400℃） |
| 恒温区稳定度 |
400℃＜±3℃/4h |
| 升温时间 |
RT→400℃≤25min |
| 系统极限真空 |
5Pa |
| 工作压力范围 |
50Pa—300Pa |
| 压力控制 |
闭环自动控制 |
| 恢复真空时间 |
AP→10Pa＜10min |
| 系统漏气率 |
停泵关阀后压力升率＜3 Pa /min |
| 控制方式 |
计算机自动控制工艺过程，彩色汉字显示工艺参 |
| 数和工艺流程，并有故障诊断、报警和保护功能 |
| |
|
|
|
| 地址:长沙市天心区新开铺路1025号中国电子科技集团公司第四十八研究所经营二处 |
| （湖南红太阳光伏科技有限公司经营部） 邮编：410111 |
| 联系人:彭志坚 王理政 王石 吴帆 肖昕 郎海刚 |
| 联系方式:电话：0731-5401260 0731-5401262 0731-6930690 |
| 传真：0731-6930690 |
| 邮箱：sales@cs48.com |
| |
|
 |
