氢气保护烧结炉

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主要用途
本设备主要用于4英寸硅片、半导体器件制造中的H2气氛保护退火与合金工艺。
也适合于对其它材料的特殊退火与合金工艺。

技术特点：
计算机全过程工艺自动控制。控温采用主从控制方式，内置热偶动态显示工艺器件、基片的实际温度,超温报警。
全自动Sic悬臂式推拉舟系统,进退舟速度可调 .配置压力报警系统,工艺管内压超压自动切断进气泄压并报警。工艺
管悬浮,加热炉体可自由进退,可对工艺管内工艺器件与基片进行快速升降温.尾气处理装置符合环保要求。本底抽真
空，真空度优于6.5Pa。
主要技术指标：
	基片尺寸:	2″～4″圆片或方片
	工艺管数:	1～4管
	工作温度:	350℃～1000℃
	恒温区长度:	200mm～400mm

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