全自动软着陆扩散炉

　　主要用于在硅片表面掺杂、氧化、合金、退火等半导体制程工艺，是集成电路、微电子、晶体硅太阳能电池、电力电子等行业的关键电子专用设备，其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。

　　1、自动上下料
　　提高设备自动化，降低人工劳动强度，减少人工污染；
　　2、高精度温度控制
　　采用自主研发、设计、制造的超大口径、超长温区高温炉体；控温精度达0.1℃级别的五段双回路温度控制系统；
　　3、电气控制
　　强弱电分离，提高设备可靠性、安全性和抗干扰能力；
　　4、软着陆送片机构
　　采用高洁净无油水平传送机构，大负荷、高稳定平稳升降机构；SiC悬臂桨在工艺时不再停留在反应室，缩短了工艺回温时间，实现SiC桨免清洗，延长了SiC悬臂桨的使用寿命；
　　5、拥有知识产权著作登记权的高温扩散/氧化系统监控软件
　　工艺全自动监控、触摸屏操作；事件记录报警功能，使得设备状态、操作可追溯；具备大规模组网功能接口，为企业的信息化管理提供了高效平台；
　　6、压力监控系统
　　将压力参数引入晶体硅太阳能电池扩散/氧化工艺，有效减小了尾部排风对工艺的干扰，减小由排风引起的工艺波动；

　　1、 炉膛有效内径：       Ф350mm (适用于外径为Ф330mm的石英管)；
　　2、温度控制范围：       400～1100℃；
　　3、产能：500片/管
　　4、 恒温区长度及精度：   ≤±0.5℃/1080mm   （801～1100℃）；
　　≤±1℃/1080mm （400～800℃）
　　5、单点温度稳定性：     ≤±1℃ /4h      （900℃时）；
　　6、温度控制方式：    五段快速回温系统；
　　7、配备反应管压力自平衡系统
　　8、炉体升降温速率：    最大升温速率：15℃/分钟，最大降温速率：5℃/分钟；
　　9、具有自动斜率升降温及恒温功能；
　　10、具有超温、断偶、热偶短路、流量偏差报警和保护功能；
　　11、净化工作台净化级别： 1000级 （环境10000级）；
　　12、悬臂式SiC桨软着陆送舟机构。水平进舟速率50mm/min～800mm/min连续可调，垂直升降速率: 8mm/min～12mm/min；石英炉门自动密封，气缸推动完成水平二级推动和旋转运动。
　　13、工艺过程由工控计算机全自动控制，直接在触摸屏上操作；
　　14、可存储100条工艺曲线、每条曲线不少于30个拐点；

　　扩散炉是半导体加工中的典型热处理设备，用于集成电路、分立器件、太阳能光伏行业中进行P掺杂、B掺杂、氧化、合金、退火等工艺