管式PECVD

　　PECVD 即等离子体增强化学气相淀积设备，是利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。电子和离子的密度达 109～1012个/cm3，平均电子能量可达1～10ev。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD 在 200℃～500℃范围内成膜，远小于其它 CVD 在 700℃～950℃范围内成膜。由于在氨气条件下，提高了活性基因的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度和均匀性。在沉积过程中，由于大量的氢存在，起到表面钝化作用。

　　1、产能大，单片成本少
　　采用Ф450mm管径的反应腔，具有产能大、单片成本少、工艺性能佳的优点，单台4管设备156硅片的产能可达1800片/小时（每管308片/批），同时兼容240片/批、280片/批的产能(整机产能相应按比例下降)。
　　2、自动化程度高
　　全自动上下舟系统，一键全自动工艺，自动化程度的提高增加了产品的重复性和一致性。
　　3、高精度温度控制
　　采用自主研发、设计、制造的炉体，高精度五段双回路温度控制系统，回温速度快，控制精度均处于国内领先地位。
　　4、业内领先的新型压力控制系统
　　采用自主新研发的新型全自动精密闭环压力控制技术，压力控制精度以及实时响应能力大幅提高30%，真空系统更加高效、稳定性提高，反应腔气氛更加均匀。

　　1、成膜种类：    二氧化硅、氮化硅；
　　2、装片尺寸及装片量：   156x156mm方片（308片/批）；
　　3、成膜均匀性    片内≤±3% 片间≤±3% 批间≤±2%（膜厚80nm左右，折射率大于2.04）；
　　4、炉膛有效内径：  Ф475mm (石英管外径Ф450mm)；
　　5、温度控制范围：    300～600℃；
　　6、恒温区长度及精度：  ±2℃/1450mm（500℃）；
　　7、升温时间：     RT→450℃≤40min；
　　8、系统极限真空：       3Pa；
　　9、工作压力范围和精度：     50 Pa～300±5Pa（闭环控制）；
　　10、气密性：     漏率≤1×10-7pa.m3/s；

　　目前在太阳电池行业主要用PECVD设备来淀积氮化硅减反射钝化膜。