科技论坛暨青年大讲堂第一讲

文章出处:原创 人气:2872 发表时间:2021-11-01
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 10月28日,中国电科第四十八研究所科技论坛暨青年大讲堂开讲。所青年专家、高级工程师巩小亮博士以《第三代半导体装备研发特点及工艺协同-SiC外延设备攻关实践》为题,与广大科技工作者互动交流第三代半导体装备发展,共同探讨高端装备国产化。副所长薛勇出席。

 

巩小亮结合48所SiC外延设备攻关实践,介绍了第三代半导体的时代意义,深入浅出讲述了第三代半导体装备研发特点与工艺协同。巩小亮认为,第三代半导体作为功率芯片定位,对线宽和集成度的要求低于大规模集成电路,是国产装备规模化应用从泛半导体走向高端的极佳发展平台。在化合物特性和工艺的快速变革式发展中,装备在研发、验证及规模化应用中必须加强工艺协同,以快速推进持续创新和迭代升级。仿真研究、工艺实验、机理分析、工艺融合性研究与持续改进是实现更高性能、赋予设备“灵魂”的必要步骤。

 

薛勇指出,这次交流有助于帮助大家进一步了解了第三代半导体装备与工艺协同。我们要进一步加强科研技术交流,注重学术氛围营造和创新能力培养;要进一步加强与高校合作,以开放的平台,良好的科研生态,助力实现“国家第三代半导体成套装备国产化解决方案首选供应商和我军传感器及系统解决方案重要供应商”的奋斗目标。 

 

48所科技处、产研发展处等有关部门和一线科研人员参加。

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