半导体工艺设备
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离子注入机
- 产品简介
- 产品特点
- 技术参数
- 应用范围
用于SiC电力电子器件制造。通过向SiC材料选择性注入掺杂元素如B、AI、N,形成p-n结或调控器件性能参数。
长寿命AI离子源；
热偶晶片温度测量系统实时监控注入温度；
高能量等梯度静电加速器实现高能注入；
在线均匀性检测与实时校正控制，保证注入剂量均匀性与准确性。
- 晶片尺寸:6 inch，4 inch
能量范围：30-400keV(单电荷) 或 30-200keV
注入元素：Al ,B,N,P
最大流强：Al：3.5mA，B+:3.5mA，N+:3mA，P+：4.5mA(最大能量400机型)
Al：7mA，B+:12mA，N+:7mA，P+：15mA(最大能量200机型)
晶片温度:RT-600℃ 
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