半导体工艺设备
〈
〉
水平液相外延炉
- 产品简介
- 产品特点
- 技术参数
- 应用范围
应用于HgCdTe材料外延生长。
恒温区长，温度稳定；
悬臂承舟，运动无摩擦，无粉尘污染；
拉舟外延，定位精度高。
工艺温度：800℃、1100℃；
恒温区精度：±0.5℃；
反应室极限真空度：≤1.0×10-3Pa。
ADVISORY MESSAGEA
咨询留言
