半导体工艺设备
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离子束刻蚀机（IBE）
兼容不同尺寸多材料加工；可实现材料表面改性及光栅微结构制备；束流能量可调，可实现不同参数控制；可定制增配多腔体、终点检测等。
- 产品简介
- 产品特点
- 技术参数
- 应用范围
离子束刻蚀机（IBE）一种通过高能离子束对材料表面进行物理轰击实现微米级加工的工艺设备，可用于刻蚀金属、氧化物和化合物半导体薄膜等材料。
- 兼容不同尺寸多材料加工；可实现材料表面改性及光栅微结构制备；束流能量可调，可实现不同参数控制；可定制增配多腔体、终点检测等。
- 1、适配晶圆：兼容6英寸和8英寸晶圆；
2、系统极限真空：≤8E-5Pa；
3、压升率：≤0.1mtorr/min；
4、离子能量范围：0~1000eV；
5、离子源最大束流：≥1200mA；
6、平均可利用时间 Uptime：≥90%；
7、平均无故障时间 MTBF：≥300h；
8、平均修复时间 MTTR：≤5h；
9、破片率：≤1/1000
10、Pt刻蚀均匀性：片内≤2%（去边5mm）；
11、SiO2刻蚀均匀性：片内≤2%（去边5mm）； 
- 微纳电子器件制作、光子器件与光学元件加工、微机电系统与传感器制造、材料表面处理、特殊材料加工、科研与特殊领域。
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