半导体工艺设备
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SiC外延炉
- 产品简介
- 产品特点
- 技术参数
- 应用范围
第三代宽禁带半导体SiC材料的同质外延生长。
超快速高质量外延生长能力；优良的生长厚度和掺杂浓度均匀性控制水平；满足向大尺寸、厚外延、低缺陷SiC外延材料发展需求。
- 1.内置式电磁感应加热，升降温速度快
2.基片气浮行星旋转运动，温度、外延膜均匀性好
3.三层水平层流送气，气流均匀性好
4.喷淋头水冷，预反应小
5.手套箱装取片 ，反应室内洁净度高 
- 1.晶片尺寸：4”～6”；
2.最高温度：1700℃；
3.控温精度：±1℃；
4.极限真空：优于3Pa；
5.压力稳定性：100~1000mbar；
6.反应室漏气率：1E-10Pa·m3/S
7.工艺气体：SiH4、C3H8、N2、TMAl ；
8.载气：Ar、H2 。 
- 用于SBD、MOSFET和BJT等高功率器件的SiC外延片的制造
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